9. 2. 6. 1. Blooming
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Horizontal Antiblooming
Als simpel aber wirkungsvoll erweisen sich horizontal zu jedem Einzelsensor
positionierte Anti-Blooming-Gates, die in der Lage sind, überschüssige
Ladung via "drain" aufzunehmen, um sie nicht in den Nachbarsensor
fließen zu lassen.
Allerdings benötigt dieser Aufbau Fläche, die für photoelektrische
Sensoren verloren geht. |
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Clocked Antiblooming
Ein beträchtlicher Teil an Überbelichtung wird mit Hilfe einer komplexen
Technik minimiert, bei der überlaufende Elektronen, um nicht in Nachbarsensoren
zu gelangen, im Halbleitermaterial zu Defektelektronen rückgeführt
sowie getaktet stets neue Defektelektronen bereitgestellt werden. Eine Einbuße
an lichtempfindlicher Fläche tritt nicht auf, allerdings verringert
sich die Kapazität der Einzelsensoren. |
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Vertical Antiblooming
Vertikal zu jedem Einzelsensor positionierte Anti-Blooming-Gates haben eine Wirkung
ähnlich der Horizontal Antiblooming, arbeiten aber effektiver und können
bei sämtlichen Flächensensoren auf CCD-Basis
angewendet werden. Aufgrund der Komplexität ist die Funktion zwar nicht
ohne weiteres beherrschbar, dafür existieren aber keine abgedunkelten
Sensorflächen. |
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